• г.Харьков радиорынок "Солли" магазин №10;№11
  • admin@tomexpress.org
г.Харьков радиорынок "Солли",магазин №10,№11 09:00 - 18:00 без выходных

Ваша корзина пуста!

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Показать:
Сортировка:
FGA15N120AND
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     1200 V     Напряжение ..
65.32грн.
FGA25N120AND
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     1200 V     Максимально..
52.33грн.
FGA25N120ANTD
Конфигурация:    Single    Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:..
40.43грн.
FGH40N60SFD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Максимальное..
55.86грн.
FGH40N60SFDTU
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Максимальное..
43.70грн.
FGH40N60SMD
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:     2.1 V     Непрерывный колл..
54.34грн.
FGH40N60UF
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Максимальное..
52.33грн.
FGH40N60UFD
Конфигурация:    Single    Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:..
52.33грн.
FGH60N60SFDTU
Конфигурация:    Single    Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:..
87.59грн.
FGH60N60SMD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:    600 V    Напряжение нас..
72.20грн.
FGH60N60UFD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Максимальное..
127.80грн.
FGL40N120ANDTU
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:    1200 V    Максимальное ..
127.51грн.
FGL60N100BNTD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:    1000 V    Напряжение на..
48.88грн.
IKW25N120T2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     1200 V     Напряжение ..
75.13грн.
IRG4BAC50W-S
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Непрерывный ..
23.45грн.
IRG4BC30W-S
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Напряжение н..
16.12грн.
IRG4BC40W-S
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Напряжение н..
32.51грн.
IRG4PC30U
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Напряжение н..
65.41грн.
IRG4PC50WPBF
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     600 V     Напряжение н..
70.06грн.
IRG4PF50WDPBF
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     900 V     Напряжение н..
75.47грн.
IRG4PH30KD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     1.2 kV     Напряжение ..
86.03грн.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления)[1]. Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами